杨保和简介
姓名
杨保和
性别
出生年月
1948年11月
学历学位
研究生 博士
职 称 教授
所属学院
电子信息工程学院 是否博硕导 博导硕导
联系电话 022-60215346
E_mail
bhyang207@163.com
所属学科 080900 电子科学与技术
研究方向
0812计算机科学与技术 薄膜电子器件
人才称号
享受政府特殊津贴人员(在职) ;
学术兼职
天津大学外聘博导;天津市重点实验室主任;中国绕月探测工程科学应用专家委员会委员;天津市光学学会副理事长;《光电子激光》副主编;《Opto-Electronics Letters》副主编;天津市电子学会常务理事
讲授课程
傅立叶光学、电动力学
主要科研项目及代表性成果(包括鉴定项目、论文、专著、获奖、专利等):
  

项目:

1. 主持完成国家863项目,“金刚石薄膜压力传感器研究”(编号 863-715-002-0060),1998.02-2001.01;
2. 主持完成国家自然科学基金,“高频LiNbO3/金刚石声表面波滤波器研究”(编号:60276001),2003.01-2005.12;
3. 主持完成国家自然科学基金,“AlN /Diamond/Si”多层膜声表面波器件制备及其高频特性研究”(编号:60576011),      2006.01-2008.12;
4. 主持完成国家自然科学基金,“高频、高Q值、高稳定性SAW谐振器多层膜材料研究” (编号:50972105),    2010.01-2012.12
5. 主持完成国家863目标导向类子课题“高频声表面波关键材料与应用研究” (编号:2009AA03Z444),2009.07-2012.06
6. 主持国家863项目子课题“手机前端用射频高性能声表面波滤波器技术” (编号:2013AA030801),   2013.07-2016.06

论文:

C.P. Li and B.H Yang﹡. Local Piezoelectricity and Polarity Distribution of Preferred c-Axis-Oriented ZnO Film Investigated by Piezoresponse Force Microscopy. Journal of electronic materials. 2011, 3(40), 253-258. SCI

C.P. Li, B.H Yang﹡, X.C Wang, F. Wang, M.J. Li, L. Su, X.W. Li. Influence of sputter-etching of substrate on the microstructural and optical properties of ZnO films deposited by RF magnetron sputtering. Applied Surface Science. 2011, 257, 5998-6003. SCI

⑶ Wei Dai, Mingji Li﹡,∗, Hongji Li, Baohe Yang﹡,Amperometric biosensor based on nanoporous nickel/boron-dopeddiamond film for electroanalysis of l-alanine,Sensors and Actuators B 201 (2014) 31–36

⑷ C.P. Li, B.H Yang﹡, X. M. Chen, X. G. Wu. Effects of annealing on the characteristics of ZnO films deposited in various O2/(O2+Ar) ratios. Optoelectronics Letters. 2010, 6 (04) 1524-1527.

⑸ C.P. Li, B.H Yang﹡, L.R. Qian, et al. Characterization of sputtered ZnO films under different sputter-etching time of substrate. Optoelectronics Letters, 2011, 7 (06) 0426-0431.

⑹ 钱莉荣,杨保和﹡. ZnO 薄膜/金刚石在不同激励条件下声表面波特性的计算与分析,物理学报,2013,62(11),117701.

⑺ ZHANG Geng-yu, YANG Bao-he*, ZHAO Jian, LI Cui-ping, and LI Ming-ji.Impact of cooling condition on the crystal structure and surface quality of preferred c-axis-oriented AlN films for SAW devices,Optoelectronics Letters,2011,7(4),0273.

⑻ 李展, 杨保和﹡. 正交实验法优化六方氮化硼薄膜的制备工艺,光电子•激光,2010,21(8).

⑼ 洪松, 杨保和﹡,李明吉, 吴晓国. 喷射CVD 法制备金刚石厚膜及其内应力分析,2010,21(4).

专著:

1. 杨保和,田乃良,“激光加工技术及应用”天津科技出版社,1999.3  (第一作者).

2.潘峰,杨保和等(合著),“声表面波材料与器件”,2012.05,科学出版社,ISBN:978-7-03-033955-3

获奖:

1. 杨保和,陈希明,常明,熊瑛,“压电晶体/金刚石多层膜声表面滤波器”,教育部技术发明二等奖,奖证编号:2007-145,2007.12.
2. 杨保和,陈希明,吴晓国,“2.5GHz SiO2∕ZnO∕IDT∕金刚石膜声表面波滤波器的研究”,天津市技术发明二等奖,奖证编号:2005FM-2-004,2006.04
3. 常明,杨保和,“金刚石薄膜压力和温度传感器研究”,天津市技术发明二等奖,奖证编号:2003FM-2-003-R2,2004.11

专利:

1. 杨保和,陈希明,多层膜结构SAW器件各层薄膜厚度无损测量方法,发明专利(授权号:ZL200510013378.6)
2. 杨保和, 熊瑛, 陈希明,适用SAW器件的纳米金刚石膜及制备方法与用途,发明专利(授权号:ZL200510013901.5)
3. 杨保和等,LiNbO3/ZnO/金刚石多层膜结构声表面波器件及其制备方法,发明专利(授权号:ZL200510014977.X)
4. 杨保和等, IDT/h-BN/c-BN/金刚石多层膜结构声表面波器件及其制备方法,发明专利(授权号:ZL2007100573304)

5. 杨保和  李晓伟. 适用于金刚石热沉膜片的薄膜沉积系统装置,发明专利(授权号:ZL200910069304.2)

(2017年9月更新)

 

 
 
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