李春亮简介
姓名
李春亮
性别
出生年月
1970年11月
学历学位
研究生 博士
职 称 教授
所属学院
材料科学与工程学院 是否博硕导 硕导
联系电话 18622966520
E_mail
licl@tjut.edu.cn
所属学科 080500 材料科学与工程
研究方向
 无机纳米材料、胶态表面化学、发光材料
人才称号
学术兼职
讲授课程
科技英语、材料综合实验I
主要科研项目及代表性成果(包括鉴定项目、论文、专著、获奖、专利等):
  

项目:

1. 日本新能源产业技术综合开发机构  纳米科技计划(纳米材料及加工技术)2002.6-2006.3,参加者
2. 日本科学技术振兴机构 大学、企业创新及推进研究,2007.12-2010.3,参加者
3. 日本科学技术振兴机构  战略的创造研究推进事业,2010.10-2012.3,参加者
4. 日本经济产业省中小企业厅 战略的基盘技术高度化支援事业,2010.11-2012.1,参加者

论文:

1. C. L. Li, M. Ando, E. Sakai, H. Enomoto, T. Taguchi and N. Murase, Chem. Lett., 40, 258 (2011).
2. C. L. Li, M. Ando, H. Enomoto and N. Murase, J. Phys. Chem. C, 112, 20190 (2008).
3. C. L. Li, M. Ando and Norio Murase, Chem. Lett., 37, 856 (2008).
4. C. L. Li, K. Nishikawa, M. Ando, H. Enomoto and N. Murase, J. Colloid Interf. Sci., 321, 468 (2008).
5. C. L. Li, K. Nishikawa, M. Ando, H. Enomoto and N. Murase, Chem. Lett., 36, 438 (2007).
6. C. L. Li, K. Nishikawa, M. Ando, H. Enomoto and N. Murase, Colloids Surf. A, 294, 33 (2007).
7. C. L. Li and N. Murase, Chem.  Lett., 34, 92 (2005).
8. C. L. Li, M. Ando, N. Murase, J.Non-crystal. Solids, 342, 32 (2004).
9. C. L. Li and N. Murase, Langmuir, 20, 1 (2004).
10.S. Wang, C. L. Li, P. Yang, M. Ando, N. Murase, Colloids Surf. A, 395, 24 (2012).
11.N. Murase and C. L. Li, J. Lumin., 128, 1896 (2008).
12.M. Ando, C. L. Li, P. Yang and N. Murase, J. Biomed. Biotech., 52971 (2007) .
13.N. Murase, C. L. Li, P. Yang, M. Ando, Jpn. J. Appl. Phys., 46, 7545 (2007).
14.N. Murase, P. Yang and C. L. Li, J. Phys. Chem. B, 109, 17855 (2005).
15.P. Yang, C. L. Li and N. Murase, Langmuir, 21, 8913 (2005).
16.S. T. Selvan, C. L. Li, M. Ando, N. Murase, Chem. Lett., 33, 434 (2004).

论著:

1. M. Ando, C. L. Li, N. Murase, 33-Development of bright phosphors using glasses incorporating semiconductor nanoparticles, Nanoparticle technology handbook,pp. 558-561, (2008).
2. 安藤 昌仪、李 春亮、村濑 至生, 「利用高亮度半导体纳米晶来制备荧光二氧化硅凝胶玻璃」,機能性玻璃・纳米玻璃的最新技術, pp. 191-202 (2006). (日语)
3. 村濑 至生 、李 春亮、安藤 昌仪,「3章 纳米玻璃 第2節 纳米玻璃的制作法 2項 凝胶法制备纳米晶二氧化硅凝胶荧光体」,纳米材料便览, pp. 167-174 (2005). (日语)

专利:

1. JP-2010-1368367, US20090315446【水溶性、高亮度半导体纳米晶及制造方法】
2. JP-2006-291175【半导体纳米晶含有蓝色发光荧光体】
3. WO2007/034877A1, US20090108235A1【半导体纳米晶的二氧化硅包覆及其制作方法】
4. JP-2005-281019【半导体纳米晶二氧化硅凝胶荧光体及制造方法】
5. JP-2005-105244, WO2004/065296A1, US20070075294A1【半导体超细粒子子及荧光体及发光装置】

 

(2016年7月更新)

 
 
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