王芳简介
姓名
王芳
性别
出生年月
1975年1月
学历学位
研究生 博士
职 称 副教授
所属学院
电气电子工程学院 是否博硕导 硕导
联系电话 13043264425
E_mail
fwang75@163.com
所属学科 080900 电子科学与技术
研究方向
 薄膜电子器件
人才称号
学术兼职
讲授课程
《半导体工艺化学》《集成电路工艺原理》《光电器件原理及应用》《电子封装技术》
主要科研项目及代表性成果(包括鉴定项目、论文、专著、获奖、专利等):
  

一、  项目

【1】主持,国家自然基金,基于AlxB1-xNy复合薄膜微波段SAW滤波器的构建及压电互补机理研究,2015.1~2017.12,31万,在研

【2】主持,天津市自然基金,AlN基压电材料掺杂改性及微波段SAW器件的构建研究, 2017.04 ~ 2020.03,10万,在研

【3】第二完成人,国家自然基金,碳纳米管电极交叉阵列阻变存储单元构建及开关特性研究      ,2013.01~2016.12,82万,结题

【4】第二完成人,天津市自然基金,基于氧化钒相变薄膜的RRAM构建及阻变特性研究,2013.03~2016.03,10万,结题      

【5】第三完成人,天津市科技计划项目,定向碳纳米管电路垂直互连集成技术研究,2010.04~2013.03, 50万,结题

【6】第二完成人,天津市基金重点项目,适用于气体传感器的高频高Q值薄膜体声波谐振器,2009.04~2012.03,20万,结题

 

二、  论文及专利

【1】第一作者, Microstructure and Nanometer Scale Piezoelectric Properties of c-BN Thin Films With Cu Buffer Layer by Piezoresponse Force Microscopy, IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY, II区SCI: AH4IQ

【2】通讯作者,Fabrication Condition Optimization of AlN Films and its Nanometer Scale Piezoelectric Properties,Science of Advanced Materials,Ⅱ区SCI(已接收)

【3】通讯作者,Optimization of the annealing process and nanoscale piezoelectric properties of (002) AlN thin films,Material Science Materials in Electronics,III区SCI(已接收)

【4】通讯作者,Crosstalk analysis of carbon nanotube bundle interconnects     Nanoscale Research Letters  ,II区SCI:918YJ

【5】通讯作者,Resistive Switching Characteristic and Uniformity of Low-Power HfOx-Based RRAM with the BN Insertion layer,Chin. Phys. B Ⅲ区SCI: DX2UR IF=1.602

【6】通讯作者,Exploration on chemical mechanical planarization of ZnO functional thin films for novel devices       Microelectronic Engineering,III区SCI:037UD 

【7】通讯作者,Modeling of conducting bridge evolution in bipolar vanadium oxide based resistive switching memory, Chin. Phys. B, III区SCI:226AN

【8】第三作者,Synthesis of Large Area Highly Crystalline Monolayer Molybdenum Disulfide with Tunable Grain Size in H2 Atmosphere   ACS Applied Materials & Interfaces,I区SCI: CT7NJ; IF=6.723

【9】第三作者,Ultra-Low Power Ni/HfO2/TiOx/TiN Resistive Random Access Memorywith Sub-30nA Reset Current     IEEE Electron Device Letters,II区SCI:CS7TJ; IF=2.754

【10】第三作者,VO2-Based Selection Device for Passive Resistive Random Access Memory Application   IEEE Electron Device Letters,II区SCI; IF=2.754

【11】第三发明人,基于P/N型氧化物叠层结构的阻变存储器及其制备方法,中国发明专利,专利号ZL201010593332.7,授权日2013.7.10

【12】第三发明人,一种磨料经过表面活性剂处理的水基切削液及其制备方法,中国发明专利,专利ZL201110119091.7,授权日2013.10.23

【13】第三发明人,一种用于氧化钒化学机械抛光的纳米抛光液及其应用,中国发明专利,专利号ZL201010593331.2,授权日2013.10.23

【14】第三发明人,一种用于硫系相变材料的化学机械抛光方法及抛光液,中国发明专利,专利号:ZL201110320251.4,授权日2014.3.19

【15】第三发明人,基于氧化钒/氧化锌叠层结构的阻变存储器及其制备方法,中国发明专利,专利号;ZL201210440132.7,授权日2014.9.10

【16】第三发明人,一种化学机械抛光用纳米抛光液,中国发明专利,专利号:ZL201310105238.6,授权日:2014.12.10

【17】第三发明人,一种基于氮氧化铪低功耗阻变存储器及其制备方法,中国发明专利,专利号:ZL201310104481.6,授权日2015.2.18

(2017年9月更新)

 
 
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